SiCウェハ等の平坦化・鏡面研削
超精密グラインダーの加工事例1
「化合物半導体加工」に強い超精密研削盤はナガセインテグレックス。超精密グラインダーNSFseriesによるSiC・GaNウェハなどの平坦化・平面研削、鏡面化、加工歪み層の極小化事例をご紹介。
アズスライスから
鏡面状態へ。
SiCウェハ製造を変える
研削加工。
SiCウェハの平坦化（平面研削）とは、ウェハ製造（ウェハメイキング）工程でウェハの片面もしくは両面の平面創成を行うこと。
アズスライス状態のSiCウェハは両面ラップを行い、片面研削、研磨、CMPを経て最終仕上げされています。しかし、この方法は加工時間・コストともに多くかかります。
そこでNAGASEでは固定砥粒のみでSiCウェハの平面創成と加工歪み層の極小化（鏡面加工）までを一気に実現する研削加工法を開発しています。
加工サンプル
SiCウェハの加工歪み層（ダメージ）の極小化
SSD：平均50nm以下
測定：Si面任意箇所
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