SiCパワー半導体の薄化・裏面研削
超精密グラインダーの加工事例2
「化合物半導体加工」に強い超精密研削盤はナガセインテグレックス。超精密グラインダーNSFseriesによるSiC・GaNパワーデバイスなどのバックグラインディング、薄化加工事例をご紹介。
SiC基板の
バックグラインディングを
最高の能率、最小の
コストで。
SiCの薄化・裏面研削とは、主にパワーデバイス等の用途で性能向上のためにSiC基板の厚みを薄化する加工のこと。BG、バックグラインディングとも呼ばれます。 NAGASEの定圧定量複合制御研削はSiCなどの高硬度な脆性材料を高能率・高精度に薄化・平坦化するために生み出された革新的な加工法です。
従来のインフィード研削に対して数倍の能率と少ない工具摩耗で6インチサイズのSiCも効率よく極薄化することが可能です。
加工サンプル
t20µmまで薄化したSiCウェハ
SORI：極少
サイズ：2インチ×3枚加工
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