SiC・セラミックス等の鏡面研磨
超精密ラップ盤の加工事例
「化合物半導体加工」に強い超精密ラップ盤はナガセインテグレックス。超精密ラップ盤PLMseriesによるSiCやサファイアウェハ、セラミックス部材などのラップ加工事例をご紹介。
大型のSiC、
セラミックス部材などの
能率・精度を変える
ラップ加工。
研磨（ラップ）とは、遊離砥粒（スラリー）を用いて、ウェハや工作物の表面を磨く加工方法。鏡面研磨、ラッピング加工とも呼ばれます。
研削加工での鏡面化が難しい大型セラミックス部品、サファイアウェハの高精度加工に対応するためにNAGASEは超大型ラップ盤を開発しています。⌀2mで1μm以下のフェーシング精度。砥粒作用量が多く、通常の倍程度の能率でSiCやセラミックス部材やサファイアなどの超鏡面仕上が可能です。
加工サンプル
SiCウェハのラップ加工
（高能率加工・鏡面加工）
加工レート：1.0μm／min（粗加工）
平面度：0.93μm／4インチ×3枚
面粗度：0.8nmRa, 4.9nmRz
材質：単結晶SiCウェハ
サイズ：4インチ×3枚
加工機：PLM-610sh
6インチサファイアの超鏡面ラップ加工
面粗度：0.6nmRa, 3.9nmRz
平面度：0.5μm
材質：サファイア
サイズ：6インチ
加工機：PLM-610sh
アルミナセラミックスの超鏡面ラップ加工
平面度：0.53μm
面粗度：1.8nmRa, 11nmRz
材質：アルミナセラミックス
サイズ：⌀125mm
加工機：PLM-610sh
結晶化ガラスの超鏡面ラップ加工
面粗度：4.4nmRa, 0.65nmRz
材質：結晶化ガラス
サイズ：⌀95mm
加工機：PLM-610sh
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